閃存是一種非易失性的半導(dǎo)體可擦寫存儲器，U盤、TF卡、SD卡、CF卡、SSD等都屬于閃存產(chǎn)品。目前大多數(shù)SSD閃存顆粒主要分為SLC、MLC、TLC、QLC，而3D TLC和3D QLC顆粒已經(jīng)被市場的主流SSD所采用。其中，3D TLC顆粒憑借著3D堆疊技術(shù)的成熟和成功應(yīng)用，其穩(wěn)定性、可靠性和耐用性等相關(guān)性能有了極大的提升，且3D TLC擁有制造成本比2D MLC顆粒低的優(yōu)勢，也已經(jīng)成為大多數(shù)企業(yè)級應(yīng)用和工業(yè)級應(yīng)用解決方案的首選NAND。為了突破半導(dǎo)體制程的瓶頸，閃存原廠紛紛通過3D堆疊來實現(xiàn)NAND Flash容量的可持續(xù)提升。因此，閃存制造商仍在挑戰(zhàn)3D NAND的層數(shù)極限，從最初的32層、48層、64層，到最新的96層和128層，并且預(yù)測在未來5年內(nèi)，3D NAND堆疊層數(shù)將達(dá)到500層，10年內(nèi)將可達(dá)到1000層，甚至更高層數(shù)的NAND Flash顆粒。

96層的3D TLC提升存儲容量，同時提高了存儲速度

相較于老的堆疊工藝，96層堆疊工藝其每單元芯片尺寸存儲容量增加約40%。該工藝降低了位存儲價格并提高了每個硅晶片內(nèi)存容量的可制造性。相較于2D TLC，3D TLC 利用新的技術(shù)（即3D NAND技術(shù)）使得閃存晶圓能夠進(jìn)行立體式的堆疊，從而解決了由于晶圓物理極限而無法進(jìn)一步擴大單Die可用容量的限制，在同樣體積大小的情況下，極大的提升了閃存顆粒單Die的容量體積，進(jìn)一步推動了存儲顆?？傮w容量的飆升。

舉例如下：

2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數(shù)間平房，這些平房整齊排列，但是隨著需求量的不斷增加，平房的數(shù)量不斷增長，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數(shù)量的平房而無法繼續(xù)增加；

3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于平房，因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層、96層和128層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。

Agrade通過嚴(yán)苛的篩選和測試，將96層3D TLC（Bics4）用于工業(yè)級SSD存儲解決方案，隨著NAND Flash制程演進(jìn)與市場需求的發(fā)展，96層3D TLC 工業(yè)級SSD固態(tài)硬盤的技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟并可用于需要長期穩(wěn)定運行的特種計算機和工業(yè)電腦等設(shè)備，而睿達(dá)存儲推出的兼具創(chuàng)新與符合嚴(yán)苛工業(yè)應(yīng)用的閃存解決方案——96層3D TLC（Bics4）存儲解決方案，引領(lǐng)工業(yè)存儲全面升級。Agrade睿達(dá)將96層3D TLC（Bics4）閃存導(dǎo)入各種規(guī)格的固態(tài)硬盤，包括2.5寸、M.2 2280、M.2 2242、CFexpress卡、mSATA等。

3D NAND技術(shù)使得SSD的容量不斷提升并且持續(xù)向更大的容量發(fā)展

Agrade睿達(dá)96層3D TLC工業(yè)級SSD存儲產(chǎn)品特點：

● 可提供更高容量的存儲空間，耐用度也經(jīng)過驗證；

● 支持工業(yè)級寬溫(-40°C~85°C)和與3K P/E Cycle（擦寫次數(shù)），功耗方面亦有更優(yōu)異的表現(xiàn)；

● 還可搭配Agrade睿達(dá)自主開發(fā)的固件，大幅提升固態(tài)硬盤的寫入速度和穩(wěn)定性，效能如虎添翼。

Agrade睿達(dá)96層3D TLC工業(yè)級存儲解決方案以全方位高度整合，確保嚴(yán)苛應(yīng)用中的出色性能和最佳可靠度，廣泛運用在各種領(lǐng)域，如快速興起的AIoT、IIoT、智能交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、監(jiān)控、工業(yè)自動化等。隨著市場對于大容量存儲設(shè)備需求的不斷提高，閃存顆粒市場的3D NAND已經(jīng)成為主流，而睿達(dá)存儲96層3D TLC工業(yè)級存儲產(chǎn)品讓客戶體驗到更大存儲容量的同時，享受到更優(yōu)異的存儲性能。