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AgradeSDNAND是高度集成的閃存，具有串行和隨機(jī)接入能力。可在支持SD2.0的設(shè)備中使用標(biāo)準(zhǔn)。它可以通過專用串行接口訪問，該接口經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)快速和可靠的數(shù)據(jù)傳輸。產(chǎn)品開發(fā)的目的是制造基于SD的存儲(chǔ)芯片界面更穩(wěn)定，使用場景更豐富。瀚海科技SDNAND可以匹配更多質(zhì)量穩(wěn)定、兼容性強(qiáng)的MCU，并且可以完美替代了之前基于SDIO接口的存儲(chǔ)產(chǎn)品。這個(gè)產(chǎn)品本身功耗低，更適合手持嚴(yán)格的生產(chǎn)工藝使產(chǎn)品更適合適用于多種場景

產(chǎn)品名稱MS42-2280閃存類型TLC接口M.2SATA3.0容量64GB~1TB-gt64GB~2TB順序讀寫(Max)560/520MB/S工作溫度常溫:0~70'C寬溫:-40~85°C尺寸規(guī)格80x22x3.4mm保修3年掉電保護(hù)可選......

適合PC和移動(dòng)設(shè)備的USB-C接口USB3.2Gen1標(biāo)準(zhǔn) 64GB、128GB、256GB

USBType-C和Type-A雙接口  USB3.2Gen1  64GB、128GB、256GB  高達(dá)200MB/秒的讀取速度

H2-SL 工業(yè)級(jí)SD記憶卡隨機(jī)效能表現(xiàn)較以往優(yōu)于SDH1-SL ，特別搭配兼容UHS-I的設(shè)備使用，可展現(xiàn)最佳傳輸速度。除此之外，影片速度等級(jí)(VideoSpeedClass)可兼容于常見攝錄像功能或設(shè)備所需的V10,V30規(guī)格，適用于高分辨率或高畫質(zhì)影片錄制；亦兼容于ApplicationPerformanceClassA1，優(yōu)化4K小檔案的隨機(jī)讀寫IOPS效能，IOPS 的讀寫效能至少達(dá)到1,900/800 。 H2-SL搭載SD5.1接口9Pin接口設(shè)計(jì)，專為50MHzor100MHz最大運(yùn)作效能而開發(fā)，可在SDMode 和SPIMode間交換使用，亦可向下兼容至SD2.0規(guī)格產(chǎn)品。同時(shí)，H2-M 工業(yè)級(jí)SD記憶卡能在最低電量下執(zhí)行數(shù)據(jù)偵錯(cuò)和校正的功能。 

R1SD內(nèi)存卡用原裝高品質(zhì)SLC芯片打造并經(jīng)受了苛刻的環(huán)境測試。結(jié)合頁面對(duì)齊固件使用，它可將隨機(jī)讀寫速度提高每秒數(shù)千萬字節(jié)，使其更有效地處理隨機(jī)寫入。固件技術(shù)的附加值功能還顯著降低了寫入放大因數(shù)(WAF)，延長了產(chǎn)品壽命和耐用性。此外，寫保護(hù)等定制的固件優(yōu)化工具可保護(hù)存儲(chǔ)的內(nèi)容，確保數(shù)據(jù)安全和完整性。宇瞻R1系列SD內(nèi)存卡兼容最新的SD3.0接口，盡管外形小巧仍可提供1GB到8GB 容量并在耗電方面展現(xiàn)出極佳的性能。

CXL內(nèi)存模塊克服了三大瓶頸：1)CPU可用內(nèi)存帶寬受限，2) 內(nèi)存資源利用率低，3)內(nèi)存與其他系統(tǒng)組件間的傳輸延遲。 以下是CXL內(nèi)存模塊的優(yōu)勢：?隨插即享單條64GB大容量：每條內(nèi)存模塊可提供高達(dá)64GB的存取容量以及32GB/s帶寬，無需額外的DIMM插槽，即可將內(nèi)存擴(kuò)充至AI服務(wù)器所需的容量。?內(nèi)存池技術(shù)，方便資源共享：藉由內(nèi)存池技術(shù)，同一層架中不同服務(wù)器的CPU、加速器等操作數(shù)件可共享內(nèi)存資源，減少資源冗余、有效提升系統(tǒng)效率。?優(yōu)化的通訊協(xié)議與硬件架構(gòu)：透過CXL.io與CXL.mem協(xié)議、以及PCIeGen5x8接口，減少計(jì)算機(jī)零件之間因不同協(xié)議與接口造成的復(fù)雜性與延遲，為AI和機(jī)器學(xué)習(xí)賦能。作為率先推出E3.S2T規(guī)格CXL內(nèi)存模塊的品牌之一，宜鼎國際透過嚴(yán)格測試與馳名業(yè)界的技術(shù)支持服務(wù)，協(xié)助客戶在現(xiàn)有系統(tǒng)上以最低成本擴(kuò)展內(nèi)存，并完成高效部署。

創(chuàng)見M.2固態(tài)硬盤MTE480T為符合TCGOpal2.0安全規(guī)范的自我加密硬盤(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技術(shù)與LBA分層管理的方式進(jìn)行進(jìn)階數(shù)據(jù)保護(hù)，保障機(jī)密數(shù)據(jù)安全。創(chuàng)見PCIeM.2固態(tài)硬盤MTE480T以112層3DNAND閃存打造，搭載高速PCIeGen4x4接口與強(qiáng)大控制器，帶來前所未有的傳輸效能；創(chuàng)見MTE480T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術(shù)以及抗硫化電阻，強(qiáng)化關(guān)鍵組件保護(hù)，抵御嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。MTE480T經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試，具備類寬溫特性（-20°C~75°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運(yùn)作，展現(xiàn)高度可靠性。

創(chuàng)見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIeGen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術(shù)與抗硫化電阻，強(qiáng)化關(guān)鍵組件保護(hù)，抵御嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。MTE460T經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據(jù)客戶需求提供寬溫規(guī)格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運(yùn)作，展現(xiàn)高度可靠性。

創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤搭載PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3規(guī)范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術(shù)，可堆棧高達(dá)96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達(dá)到更高的儲(chǔ)存效益。創(chuàng)見MTE452T2固態(tài)硬盤內(nèi)置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機(jī)訪問速度，同時(shí)經(jīng)過嚴(yán)格的廠內(nèi)測試，達(dá)到3K抹寫次數(shù)的耐用度等級(jí)，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優(yōu)異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務(wù)密集型應(yīng)用的需求。